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深圳大学材料学院刘新科:基于氮化镓单晶衬底的半导体器件

文章来源:亚搏官方-首页  作者:亚搏官方-首页  发布日期:2020-05-17  浏览次数:40
当前,新型冠状病毒仍在延续,对财产和企业造成了必然水平的影响,也牵动着各行各业人们的心。在此情势下,中国半导体照明网、极智头条,在国度半导体照明工程研发和财产同盟、第三代半导体财产手艺立异计谋同盟指点下,开启疫情时代常识分享,帮忙企业解答迷惑。助力我们LED照明企业和财产共克时艰。本期,极智讲堂约请到深圳年夜学材料学院研究员、博士生导师刘新科带来了题为“基在氮化镓单晶衬底的半导体器件”的出色主题分享。氮化镓材料具有高频、高效、高功率、耐高压、耐高温、抗辐照等优胜机能;符合国度 “新基建”的国度计谋需求,例如5G/6G、智能电动汽车,年夜数据中间等,氮化镓是撑持新一代移动通讯、新能源汽车、高速轨道列车、能源互联网等财产自立立异成长和转型进级的重点焦点材料和电子元器件。GaN-on-GaN手艺线路的怪异特点:1)缺点密度极低(约103cm-2); (2)横行器件和纵向器件的双可能性; (3) 不异器件面积下,更年夜的输出电流和更高的器件耐压;(4) 超强的器件靠得住性,无电流崩塌等;氮化镓材料的优势有体积年夜年夜减小~40-60%;效力提高, 下降~60%的热能;靠得住性提高,并且高温工作(175oC)。国表里成长近况:美日中计谋要地陈述重点具体分享了基在氮化镓单晶衬底的垂直电力电子器件、基在氮化镓单晶衬底的程度HEMTs器件、2D/氮化镓单晶的范德华异质结的半导体器件,包罗电力电子器件SBDs、PNDs、JBS、FETs、HEMTs、RF-HEMTs、2D-on-6H 异质结器件等的最新立异功效与手艺进展。


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